來源：e鍵打印
發(fā)布時(shí)間：2015-06-04 09:14:05
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現(xiàn)有技術(shù)如計(jì)算機(jī)芯片和材料正在越來越多地在納米級(jí)制造，增材制造工藝也是如此。 近日，由申鉉金教授領(lǐng)導(dǎo)的韓國高等科學(xué)和技術(shù)（KAIST）院化學(xué)和生物分子工程系的一個(gè)研究小組已開發(fā)出一種新型光刻技術(shù)，利用氧擴(kuò)散對微型圖形的功能形狀進(jìn)行控制。
也被稱為光學(xué)光刻或EUV光刻，光刻技術(shù)采用一些與攝像同樣的基本原則，即圖形在被曝光后映射。它是一種通過曝光光致抗蝕劑層區(qū)域，將微型圖形轉(zhuǎn)印到襯底上的標(biāo)準(zhǔn)工藝，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)以制造計(jì)算機(jī)芯片。
與絲網(wǎng)法工藝轉(zhuǎn)印不同顏色的墨水到T恤、海報(bào)和其他打印的物體上類似，傳統(tǒng)的
光刻技術(shù)依賴于光掩膜來保護(hù)襯底區(qū)域免受曝光。被掩蔽區(qū)域覆蓋的區(qū)域保持底層的完整，已被曝光的底層被沖走，最終創(chuàng)建最后的微型圖形。 此前，由于與光源方向平行布置的已曝光區(qū)域和頂層區(qū)域之間的界限，這一技術(shù)已被限制為二維設(shè)計(jì)。
然而，通過申教授和其研究團(tuán)隊(duì)開展的光刻研究，他們發(fā)現(xiàn)了氧濃度降低的暴漏在UV光下的區(qū)域，導(dǎo)致氧擴(kuò)散，以及操縱擴(kuò)散速度和能夠控制聚合物總體增長、形狀和大小的方向。
作為其研究的結(jié)果，該團(tuán)隊(duì)已創(chuàng)建出基于光刻原理（通過利用氧的存在實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的微型圖形生產(chǎn)）的新技術(shù)。不同工藝中使用的氧濃度的不同引起UV光下區(qū)域的氧擴(kuò)散。最終，工藝中的抑制劑的使用實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和三維微型圖形的制造。
這項(xiàng)新技術(shù)將用于增強(qiáng)三維聚合物制造工藝，這一工藝之前被認(rèn)為不能用于商業(yè)用途。
申教授稱，“雖然3D打印被認(rèn)為是一種創(chuàng)新型制造技術(shù)，但它不能用于微觀產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)?！?“新的光刻技術(shù)將對學(xué)術(shù)界和工業(yè)界產(chǎn)生廣泛的影響，尤其是因?yàn)楝F(xiàn)有傳統(tǒng)光刻設(shè)備可用于更復(fù)雜微型圖形的開發(fā)?！眮碜怨I(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所的宋文文這樣認(rèn)為。
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